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光耦参数传输(光耦传输比选择)

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817光耦详细参数

根据知乎资料显示,这款光耦参数如下:高VCEO(集电极-发射极电压):80V MAX。输入二极管正向电压:25V。最大集电极电流:50 mA。集电极和发射极的最大电压比:80V。4引脚DIP封装和SMT封装。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

光耦参数传输(光耦传输比选择)-图1

它的具体参数如下:正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

光耦的传输比是什么概念

1、光耦的用法 光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。这是因为当CTR50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。

2、是的,CTR就是传输比,因为光耦内部有光通道的空腔,制造工艺不可能做到很精确,所以有个范围。你说的300%CTR600%,主要意思是指光耦CTR在这个范围内,都是合格的。

光耦参数传输(光耦传输比选择)-图2

3、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

4、简单地说就是光耦原边通过1mA电流时,副边可以通过1-3mA的电流。

5、电流传输比CTR定义输出管的工作电压为规定值时,输出电流IC和发光二极管正向电流IF之比为电流传输比。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,它在各种电路中得到广泛的应用。

光耦参数传输(光耦传输比选择)-图3

光耦的CTR参数

采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~30%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~500%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。

光耦是一种将光信号转化为电信号的器件,通常由光源、光接收器和光隔离器组成。CTR(Current Transfer Ratio)是光耦的一个重要参数,它表示输出光电流与输入LED电流之间的比率。CTR的大小决定了光耦的灵敏度和信号传输效率。

CTR代表的是它的电流传输比率,也就是输入和输出之间的比率。CTR的计算是输出电流与输入光耦电流的比值,一般在1%-50%之间。CTR越高,说明该光耦器在输入端的电流变化对应的输出电流变化就越大,也就是传输效率越高。

到此,以上就是小编对于光耦传输比选择的问题就介绍到这了,希望介绍的几点解答对大家有用,有任何问题和不懂的,欢迎各位老师在评论区讨论,给我留言。

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