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关于密勒效应的问题
1、密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。
2、因此，在渥尔曼电路的共发射极电路中（下面的晶体管），没有因密勒效应而使频率特性变坏。
3、漏极电容cgd。根据查询电子发烧友显示，在共源极和共射极电路的高频等效电路中，引入米勒效应的是栅漏极电容cgd。密勒效应是指在半导体器件中，频率越高时电路增益越低的现象。该现象是由于半导体器件电容的存在而导致的。
4、反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效电容值会扩大1+K倍，此即“密勒效应”。
为什么晶体管的放大能力随着频率的增加而下降
原因很多，但主要是晶体管本身的电容和寄生电容的影响。
其实三极管的放大倍数在出厂以后就固定了，之所以输出信号的幅度小，是因为三极管B，E极之间PN结近似一个电容。
晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
电压放大电路的目标是不失真地输出信号，工作在小信号模型下；功率放大电路的目标是放大功率，需要很强的带负载能力，工作在大信号模型下。
密勒效应的好处
① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。
（4）密勒效应的好处：① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。
在共源组态中，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。在共栅极组态中，Cdg不是密勒电容，故频率特性较好。
好处 获得可控电容等 快速 导航 效应措施性能影响电容用处 基本概念 密勒效应是通过放大输入电容来起作用的，即密勒电容C可以使得器件或者电路的等效输入电容增大(1+Av)倍，Av是电压增益。
密勒效应。密勒效应里由于放大器的放大作用，电容放大，使得输出端得到线性较好的三角波，所以调整方波使积分器输出三角波呈线性的原因是密勒效应。积分器是一种电子元件。
虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。
密勒效应的不良影响
（3）密勒效应的不良影响：密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。
米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。
米勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。
好处 获得可控电容等 快速 导航 效应措施性能影响电容用处 基本概念 密勒效应是通过放大输入电容来起作用的，即密勒电容C可以使得器件或者电路的等效输入电容增大(1+Av)倍，Av是电压增益。
到此，以上就是小编对于电流传输原理的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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