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什么是电流传输比(电流传输比ctr)

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817光耦详细参数

HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器,采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

什么是电流传输比(电流传输比ctr)-图1

它的具体参数如下:正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数:集-射极电压额定值Vceo为35V,Ic为50mA,Pc为150mW。实际工作中,集电极供电电压可在额定值以内选用,只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。

光耦PC817:光耦PC817的峰值正向电流(ICE max)为1A。光耦PC817B:光耦PC817B的峰值正向电流(ICE max)为5A。作用不同 光耦PC817:光耦PC817用于信号传输,减小电路干扰,简化电路设计。

什么是电流传输比(电流传输比ctr)-图2

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

固态高速光耦的作用?

电气隔离:由于光耦的工作原理是利用光信号传递电信号,因此它在输入和输出之间具有极好的隔离性能,可以防止电路间的雷电、电涌影响以及高电压对电路低电压部分的影响。

以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。

什么是电流传输比(电流传输比ctr)-图3

光耦的主要作用就是隔离作用,如信号隔离或光电的隔离。隔离能起到保护的作用,如一边是微处理器控制电路,另一边是高电压执行端,如市电启动的 电机,电灯等等,就可以用光耦隔离开。

光耦传输速率是怎么计算的

1、数据传输速率的计算公式如下:R=(1/T)*logzN(bps)。其中R为传输速率,单位为bps,T为发送每个bit所要的时间,单位是秒,N是传输的码数。如果网络结点传输5MB数据需要0.04s,则该网络的数据传输速率是1Gbps。

2、就分立元件而言,是三极管的速度快,一般的产品目录上三极管都标注其带宽,而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间,这就是它的开关速度参数。

3、使用光纤连接网络具有传输速度快。衰减少等特点。因此很多公司的网络出口都使用光纤。

4、为保证寿命,通常会采用脉冲形式来驱动LED,通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。输出特性光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。

5、普通光耦就可以。在一定范围内(光耦不烧毁),增大光耦二极管侧的电阻、或者减小三极管侧的上拉电阻都能使的输出波形的延迟减小。

到此,以上就是小编对于电流传输比ctr的问题就介绍到这了,希望介绍的几点解答对大家有用,有任何问题和不懂的,欢迎各位老师在评论区讨论,给我留言。

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