本篇目录：
- 1、阈值电压影响因素
- 2、cmos管的阈值电压跟什么有关
- 3、cmos电路中输入输出曲线上升时间tr的概念
- 4、CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊?
- 5、CMOS工作时的参数有哪些?
- 6、CMOS门电路的特点
阈值电压影响因素
1、背栅的掺杂 backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。如果想要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调节。
2、通道长度调制效应：通道长度调制效应是指在MOSFET通道长度较小的情况下，由于电场效应的影响，通道中的电子浓度会受到影响，从而导致阈值电压的变化。当通道长度减小时，电子浓度的变化会导致阈值电压的变化。
3、温度方面，电磁干扰方面。温度方面，封装会对芯片内部的温度产生影响，升高的温度导致晶体管的阈值电压下降，使其更容易导通。
4、第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。
cmos管的阈值电压跟什么有关
1、影响mosfet阈值电压的因素是栅氧化层厚度氧化层固定电荷衬底掺杂浓度。MOSFET阈值电压是指在MOSFET导通的过程中，栅极和源极之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。
2、第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。从前面的分析可知，要在衬底的上表面产生反型层，必须施加能够将表面耗尽并且形成衬底少数载流子的积累的栅源电压，这个电压的大小与衬底的掺杂浓度有直接的关系。
3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
cmos电路中输入输出曲线上升时间tr的概念
1、时钟频率（Clock Frequency）：指CMOS门电路能够处理的最高时钟频率。时钟频率越高，表示CMOS门电路的处理速度越快。 延迟时间（Delay Time）：指CMOS门电路输出信号与输入信号之间的延迟时间。
2、上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。
3、Propagation Delay（传播延时）：在输入信号变化到50%Vdd到输出信号变化到50%Vdd之间的时间。解释一下Vih，Vil，Vol，Voh，Vt。
4、他始终坚持八小时的睡眠，充足的睡眠保证了赵旭照高效率的学习。整理错题，而且把自己的错题本当成宝贝来看待。平时在学习中做错的题，林佳瑞把它们抄下来，定期拿出来分析，不断巩固复习，最终达到了查漏补缺的效果。
CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊?
当然有规定了。CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
在室温下，一般输出高电平是5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。TTL电平，TTL的电源工作电压是5V，所以TTL的电平是根据电源电压5V来定的。
TTL电源电压只能是5V，电平大致如下：\r\n输出高电平电压≥7V，典型6V，输出低电平电压≤0.5V；\r\n输入高电平电压要求＞2V，输入低电平电压要求＜0.8V。
输入在5V以上为高电平，输入在5V以下为低电平。CMOS电路时电压控制器件，输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给一个恒定的电平。
CMOS工作时的参数有哪些?
1、CMOS门电路的重要电气特性参数包括： 静态功耗（Static Power Dissipation）：指CMOS门电路在静止状态下的功率消耗。静态功耗是由于CMOS门电路中的晶体管存在漏电流而导致的能耗，通常用毫瓦（mW）或微瓦（μW）来表示。
2、摄像机芯片：CMOS30W像素压缩格式：M-JPEG红外距离：≤15米工作电源：DC12V，最大工作电流500mA最大水平转角：355°，最小水平转角：20°。垂直转角：0°—90°。
3、OV9120是135万像素(1312×1036)、1/2英寸的CMOS图像传感芯片，它采用SXGA/VGA格式，最大帧速率可达到30帧/s(VGA)，该芯片将CMOS光感应核与外围辅助电路集成在一起，同时具有可编程控制功能。
4、CMOS电平，CMOS的电源工作电压是3V - 18V，CMOS的电源工作电压范围宽，如果你的CMOS的电源工作电压是12V，那么这个CMOS的输入输出电平电压要适合12V的输入输出要求。
5、随着微机的发展、可设置参数的增多，现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量。
CMOS门电路的特点
TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路，否则可能会造成电路不稳定甚至损坏，一般需要上拉或下拉电阻。
CMOS门电路的重要电气特性参数包括： 静态功耗（Static Power Dissipation）：指CMOS门电路在静止状态下的功率消耗。静态功耗是由于CMOS门电路中的晶体管存在漏电流而导致的能耗，通常用毫瓦（mW）或微瓦（μW）来表示。
具体如下。CMOS集成电路功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。
CMOS门电路，使用频率高（相对ttl）功耗小，驱动损耗小，自身消耗低，易于集成，但应用中要处理好，传输和干扰问题。
到此，以上就是小编对于cmos传输门电路图和符号图的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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