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空载时,hc系列cmos器件的参数
CMOS门电路的重要电气特性参数包括： 静态功耗（Static Power Dissipation）：指CMOS门电路在静止状态下的功率消耗。静态功耗是由于CMOS门电路中的晶体管存在漏电流而导致的能耗，通常用毫瓦（mW）或微瓦（μW）来表示。
CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。上述两者的工作频率都在30mHz以下，74ALS略高，可达50mHz。但它们的工作电压却大不相同：74LS系列为5V，74HC系列为2~6V。
HC190主要功能如下：74HC190 是高速 CMOS 逻辑可预置同步 BCD 十进制加/减计数器。CD54/74HC190是异步可预置BCD十进制计数器，而CD54/74HC191和CD54/74HCT191是异步可预置二进制计数器。
CMOS逻辑电平范围比较大，范围在3～15V。比如4000系列当5V供电时，输出在6以上为高电平，输出在0.05V以下为低电平。输入在5V以上为高电平，输入在5V以下为低电平。
两种电源的等效延迟时间的数量级分别是多少?
截止延迟时间一般不等，所以与非门的传输延迟时间t由于导通延迟时间与是tpdPHL和t的平均值。即定义为： PLH t，tPLHPHLt，pd 。。(1) 2 一般TTL与非门传输延迟时间t的值约为几纳秒，十几个纳秒。
plc双电源互投延迟投切时间20ms诚创智控自主研发的双电源切换器主备切换时间不大于20ms，经过严格测试，基本不会出现用电器重启。电脑、PLC不会重启。
时间上简单公式吧：（V*AH/VA）*0.8=H，（V直流工作电压*AH电池容量/负载或者满载10KVA）*0.8=H大概延迟时间2小时。按满载计算，你的电池容量为：AH=25000/V（你的直流工作电压）。
空气阻尼式的一般就1S-60S之间可调，晶体管的可以调节至60分钟甚至更长。
R1的电流为：U1/4-Isc+Is，方向向下。所以：U1=R1×（U1/4-Isc+Is）=2×（U1/4-Isc+2）。0.5U1+2Isc=4。根据KVL：R2×（U1/4-Isc）+U1=0，5U1=2Isc。解方程组：U1=2，Isc=5（A）。
门电路传输延迟时间的物理意义
1、这些电气特性参数的物理意义如下： 静态功耗：与CMOS门电路中的晶体管漏电流有关，表示在静止状态下，CMOS门电路的能耗。 时钟频率：与CMOS门电路中的晶体管开关速度有关，表示CMOS门电路能够处理的最高时钟频率。
2、反映了与非门的带负载能力。平均传输延迟时间t(pd)：平均延迟时间是衡量门电路速度的重要指标，指一个矩形波信号从与非门输入端到与非门输出端所延迟的时间。
3、纳秒。根据查询相关公开信息显示，门电路的传输延迟时间可以达到10纳秒，门电路的平均传输延迟时间是指从门电路输入信号变化到门电路输出信号变化之间的平均时间延迟。
4、门电路内部也是有多个二极管三极管mos管等组成的，由于极间电容分布电感以及传输时间等参数的影响最终导致延时，而极间电容分布电感以及每个二极管三极管mos管的参数不可能做到完全一样，所以每个门电路的延时时间不一样。
5、传输距离：数据在网络中传输需要时间，传输距离越长，延迟就越大。例如，如果我们从中国向美国发送一个数据包，由于两者之间的地理距离较远，数据包需要经过多个路由器和交换机才能到达目的地，这就会导致较大的传输延迟。
6、传输延迟模型优点：准确度高，缺点：但是模型效率低，每次传输都要有一定时间的延迟。
到此，以上就是小编对于门电路平均传输延迟时间的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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