本篇目录：
- 1、解释下列名词:开门电平、关门电平、阈值电平、抗干扰容限。
- 2、TTL门电路电压传输特性与CMOS门电路电压传输特性有什么不同
- 3、CMOS门电路由哪些重要的电气特性参数?他们的物理意义是什么?
- 4、ttl门电路的电气特性中静态特性包括电路的
解释下列名词:开门电平、关门电平、阈值电平、抗干扰容限。
1、（2）阈值电压Vth。从CMOS非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压Vth约为VDD/2。（3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。
2、【答案】：(1)输出高电平VOH。(2)输出低电平VOL。((3))开门电平VON：开门电平的大小反映了高电平抗干扰能力，VON愈小，在输入高电平时的抗干扰能力愈强。
3、开门电平：当电路输入端接额定负载时。使电路输出端处于低电位上限所允许的最低输入电位。关门电平，使电路输出端处于高电位下限所允许的最高输入电位。阈值电压。逻辑门是在集成电路上的基本组件。
4、TTL门电路的输出高低电平不是一个值，而是一个范围。同样，它的输入高低电平也有一个范围，即它的输入信号允许一定的容差，称为噪声容限。噪声容限表示门电路的抗干扰能力。显然，噪声容限越大，电路的抗干扰能力越强。
5、开门电平越小，在输入高电平时的抗干扰能力越强。关门电平越大，在输入低电平时的抗干扰能力越强。
TTL门电路电压传输特性与CMOS门电路电压传输特性有什么不同
TTL门电路负载特性远好于CMOS门电路负载输特性，因为其允许的输出电流大得多，也就是输出阻抗小得多。它可以直接驱动很多负载。cmos驱动略大的负载，就需要加上扩流级了。
高低电平不同。TTL高电平6~5V，低电平0V~4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。电路不使用的输入端不同。
主体不同 TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。特点不同 TTL电路：采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。
CMOS门电路由哪些重要的电气特性参数?他们的物理意义是什么?
1、（3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。
2、与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。
3、主要有以下参数： 工作电源上下限 输入高低电平上下限 输出高低电平上下限 输入阻抗 输出阻抗。CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。
4、MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面着重介绍CMOS传输门。所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。
ttl门电路的电气特性中静态特性包括电路的
1、静态特性、动态特性。由于集成电路体积小、质量轻、工作可樱银靠，因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路。随着集成电路制作工艺的发展，集成电路的集成度越来越高。
2、TTL与非门的电压传输特性和主要参数1．电压传输特性曲线与非门的电压传输特性曲线是指与非门的输出电压与输入电压之间的对应关系曲线，即V=f（Vi），它反映了电路的静态特性。（1）AB段（截止区）。（2）BC段（线性区）。
3、LSTTL门电路的静态特性：(1)LSTTL门电路的静态输入特性、(2)LSTTL门电路的静态输出特性、LSTTL电路中的74LS125芯片有如图所示三态输出方式：0、1和高电阻。
4、具体如下。CMOS集成电路功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。
到此，以上就是小编对于门电路传输特性实验数据的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
微信扫一扫打赏
