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mos管的电阻公式
1、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。
2、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
3、MOS（金属氧化物半导体）输出电阻（Rds）与电流之间存在一定的关系。
4、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
5、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。
门电路工作原理?
1、与非门：这种门电路在一块集成块内含有两个互相独立的与非门，每个与非门有四个输入端。工作原理基于优先原则：谁的电压降大，谁优先导通。例如，当输入都为高电平时，输出才为低电平；否则，输出为高电平。
2、即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
3、晶体管门电路的基本工作原理是通过控制门电压来控制电流流动。在NPN晶体管门电路中，当门电压升高时，发射极基极电压会减小，从而使发射极基极电流增加，进而增加发射极源极电流。
4、常规门电路，输出依输入出0或1。OC门电路，原理为：集电极开路，使用时要外接上拉电阻，可用于线与。三态门电路，原理为：设有选中控制端端，没被选中的话输出高阻态，相当于未接入线路，用于总线数据传送。
5、与门，非门，或门的工作原理：用“1”表示高电势、“0”表示低电势，可得图10－13乙与门电路的真值表。图丙是与门的图形符号，丁是曾用过的与门图形符号。可以用中学知识解释清楚。
6、逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。
限流电阻的计算方法
LED灯的限流电阻计算方法：R=U/I，假设电源电压0v，LED压降0v，LED工作电流10ma，那么限流电阻大小为（0-0）/0.01=300欧。
led灯珠限流电阻公式：LED灯的限流电阻=（电源电压-led灯电压）/led灯的电流。LED在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服PN结的电场，由N区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。
限流电阻的计算方法如下：需要确定制冷片的额定电流（Imax）和最大工作电压（Vmax）。需要计算出制冷片的内阻（Rt），其计算公式为：Rt=Vmax/Imax。需要确定限流电阻的阻值（Rl）和功率（Pl）。
限流电阻计算公式为：（电源电压V－LED压降V）÷限流电流A＝电阻值Ω。
计算如下：U为工作电压，串联R＝（U－LED压降＊18）／20mA，并联R＝（U－LED压降）／（20*18mA）。
数字集成电路的题
1、“逻辑电路中，三极管一般起反相器的作用”，反相器也是工作在开关状态而不是放大状态；因此数字集成电路中的三极管用的就是三极管的开关作用。
2、（a）传输门组成的数据选择器，控制端B=0，S=A；B=1，S=A（非A），逻辑关系S与A、B是异或门。S=AB+AB=A⊕B。（b）反相器输出串联传输门是反相三态门，可是本题是传输门与反相器并联，没见过这种结构。
3、设计十进制计数器大概有以下几种方法：①用标准的数字集成电路家族来搭建十进制计数器。常用的TTL数字电路家族为7400系列。常用的CMOS数字电路家族为CD4000系列。②用基本的组合逻辑电路和触发器来实现。
4、课程内容总体来说很广泛，但是又不深入。算是加强了一下基础，扩宽视野用吧。2019年12月30号上午考试，8点30到11点20。
5、求帮做一道反相器分析的题目，数字集成电路方面的进 50 如图示反相器：(1)分析电路的工作特点(2)求VOL和VOH(3)此电路是否有静态功耗？若有求对应的Vin电平及功耗值。
6、状态4，VH ≤Vin＜VY-|vthp|，MM2导通 。
到此，以上就是小编对于传输门电路的三种主要类型的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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