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数字电子技术问题
低速的脉冲信号是不需要考虑这个问题的，高速脉冲就需要考虑。因为MOSFET结电容的存在，方波信号的前沿有一部分通过给电路寄生电容和MOSFET结电容充电，使输出的波形边沿变得平滑，不那么陡了，这样就会使MOS管发热。
加正向电压时，二极管导通，管压降可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。加反向电压V时，二极管截止，反向电流可忽略。二极管相当于一个断开的开关。
即Q和Q状态不是互补的了，此时触发器的状态就无法描述，并且S和R同变为无效电平后触发器状态不确定（Q和Q状态互补），Q和Q非互补状态称为不定态。所以，一般不允许S和R同为有效电平。
I2C协议中读时序
1、把数要写的数据10100001，先右移一位，然后最高位就会被移到CY寄存器，再把CY值 赋给SDA（SDA=CY；）就可以了。
2、协议规定，在启动总线后的第1个字节的高7位是对从节点的寻址地址，第8位为方向位（“0”表示主节点对从节点的写操作；“1”表示主节点对从节点的读操作），其余的字节为操作数据。图1列出I2C总线上几个基本信号的时序。
3、读数据，首先为起始信号-》从地址（最后一位为W写）-》重复起始信号 -》从地址（最后一位为R读）-》存放的寄存器地址或读的数据地址- 读到的数据。这么个过程。不懂的可以接着问。
高频继电器导通电阻高和寄生电容高的区别
1、寄生电阻跟寄生电容对高频信号线的影响：信号的功耗和能量损耗、信号的衰减和相位失真。信号的功耗和能量损耗：寄生电阻是导体材料的电阻性质造成的。在高频信号传输中，寄生电阻会引起信号的功耗和能量损耗。
2、不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电 容——电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容，标记为C。
3、主要作用是吸收峰值电压，减小干扰，为下一级提供信噪比高的信号。其中电容隔直通交，但是通交，就为干扰信号大开绿灯。因为干扰信号绝大多数是脉冲，而脉冲相对频率比较高，致使脉冲通过电容更是大摇大摆，如同超导。
4、在现实中，所有的电路元件，例如电感元件、二极管和晶体管都具有内部电容，这些电容将使器件的性能与理想情况有所不同。
5、电阻的高频阻抗计算公式 下图描绘了电阻的阻抗绝对值与频率的关系，正像看到的那样，低频时电阻的阻抗是R，然而当频率升高并超过一定值时，寄生电容的影响成为主要的，它引起电阻阻抗的下降。
门电路工作原理?
与非门：这种门电路在一块集成块内含有两个互相独立的与非门，每个与非门有四个输入端。工作原理基于优先原则：谁的电压降大，谁优先导通。例如，当输入都为高电平时，输出才为低电平；否则，输出为高电平。
晶体管门电路的基本工作原理是通过控制门电压来控制电流流动。在NPN晶体管门电路中，当门电压升高时，发射极基极电压会减小，从而使发射极基极电流增加，进而增加发射极源极电流。
与门，非门，或门的工作原理：用“1”表示高电势、“0”表示低电势，可得图10－13乙与门电路的真值表。图丙是与门的图形符号，丁是曾用过的与门图形符号。可以用中学知识解释清楚。
即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
传输门是什么意思?有什么用?
传输门 。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的 模拟开关 。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET，即TP和TN并联而成。TP和TN是结构对称的器件，它们的 漏极 和源极是可以互换的。
所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成 应用范围如下：a.用于数字电路传输：作为基本单元电路，组成逻辑电路，如数据选择器、触发器等。
传输门说白了就是模拟开关，相当于一个PMOS和一个NMOS并联。你把传输门看成最简单的开关就行了。
CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道的增强型MOSFET并联而成。用于控制数字信号的传输，多用于ADC中传输模拟信号，又叫模拟开关。
传输门。在边沿触发器电路结构中，反相器GG2和传输门TGTG2组成了主触发器，反相器GG4和传输门TGTG4组成了从触发器。当C为1时，将输入端的模拟信号整体传输之输出端，无损耗，C为0时门关闭。
右上角逻辑非关系，可以认为信号先非再进入逻辑门，起到缓冲作用。分析时看到逻辑门输入有小圈就非逻辑一次。
到此，以上就是小编对于传输门高阻态的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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