本篇目录：
- 1、pn结的形成机理是什么?
- 2、什么是N、P型半导体?两种半导体制作在一起会产生什么现象?
- 3、半导体pn结的导电原理是什么?
- 4、P型和N型单晶硅片的区别主要有哪些?
- 5、什么是半导体的P型和N型?
- 6、p型半导体的导电原理
pn结的形成机理是什么?
从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。
原理如下：PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。
当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时，形成稳定的空间电荷区，即PN结形成。
PN结的形成原理基于半导体材料的电子结构和掺杂技术。当N型半导体与P型半导体相接触时，两者之间的自由电子和空穴会在结面上扩散并重新组合，形成一个电子云。
，在一个硅片上，不同的掺杂工艺会形成两种不同的半导体，这两种半导体分别称为N型半导体和P型半导体，这两种半导体进行接触时，会在交界面附近的区域形成PN结。
什么是N、P型半导体?两种半导体制作在一起会产生什么现象?
1、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
2、N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
3、【答案】：纯净的半导体称为本征半导体，它有空穴和自由电子两种载流子并相等。在常温下，其载流子浓度很低，故导电能力很弱，且对温度、光照等非常敏感。
4、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
半导体pn结的导电原理是什么?
1、半导体的导电原理是，在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。
2、在无外电场和其他激发作用下，参与运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而发到动态平衡，形成PN结，此时空间电荷区具有一定的宽度，电位差为耗尽层电势相等，电流为零。
3、PN结：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。
4、PN结（pn-junction）原理是指半导体PN结构中电子和空穴的迁移和局部电荷的形成。在PN结中，一侧是P材料，富含正电子，另一侧是N材料，富含负电子。在PN结两侧之间，会形成自由电子和空穴的平衡，这种平衡状态称为平衡结。
P型和N型单晶硅片的区别主要有哪些?
1、N型单晶硅和P型单晶硅的主要区别在于掺杂工艺、制作成本和性能。掺杂工艺：由于掺杂工艺的区别，单晶硅片可分为P型和N型两类。P型制作工艺简单，成本较低。N型工艺要求更高，成本更高。
2、P型和N型单晶硅晶片之间的差异如下：n型是电子传导，P型是空穴传导。单晶硅中的磷掺杂是n型的。磷掺杂越多，自由电子越多，导电性越强，电阻率越低。单晶硅中的硼掺杂是P型的。硼掺杂越多，取代硅产生的空穴越多。
3、N型和P型单晶硅片的区别主要为：掺杂的元素不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
4、首先N型和P型的区别在于在做PN节的时候，P型用的是磷扩散而N型用的是硼离子注入法，硼离子注入法要比磷扩散工艺上难很多。
5、在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。N型半导体也称为电子型半导体。
什么是半导体的P型和N型?
1、P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
2、N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
3、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
4、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
5、P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
p型半导体的导电原理
是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体，也称为空穴型半导体。
P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
半导体的导电原理是，在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。
形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。
到此，以上就是小编对于材料传输原理吉泽升的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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