传输门带负载能力（传输门原理）-共工科技

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1、是有。电平偏离现象是因为二极管有正向压降，带载能力差是因为没有放大器驱动，而且还有一个下拉电阻。

2、则电源的控制电路有故障，应仔细查找。电源负载能力差。如果是电源负载能力差，开机后只能向主板、软驱正常供电，当接上硬盘、光驱后，负载能力不足，导致屏幕变白而不能正常工作。

3、(1)开关管性能下降。这种情况会导致开关管不能正常导通，使电源的内电阻值变大，带负载的能力变差。(2)输出端整流二极管、滤波电容器失效。这种情况可以通过代换的方法来判断它们是否损坏。(3)开关电源的负载有短路故障。

4、基本的逻辑关系有三种：与逻辑、或逻辑、非逻辑。与此相对应，基本的门电路有与门、或门、非门。虽然利用二极管实现基本的与、或、非门，可以实现与、或、非三种逻辑运算。

5、也就是说由二极管构成的与门和或门均不能用以构成实用的逻辑电路。为克服二极管门电路的上述缺点，可采用具有反相放大特性的三极管来构成门电路，即TTL门电路。

6、但是由于它们的输出电阻比较大，带负载的能力差，开关性能也不理想，因此基本的与、或、非门不具有实用性。解决的办法之一是采用二极管与三极管门的组合，组成与非门、或非门，也就是所谓的复合门电路。

1、反映了与非门的带负载能力。平均传输延迟时间t(pd)：平均延迟时间是衡量门电路速度的重要指标，指一个矩形波信号从与非门输入端到与非门输出端所延迟的时间。

2、(2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)，但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

3、对。根据查询cmos集成门电路的相关信息得知，影响cmos集成门电路的运行速度主要是传输延迟和转换时间对。由栅衬之间等效的电容和上级的等效电阻组成的RC结构引起了传输延时时间。

1、P0口：真正的双向口，输出锁存，输入缓冲，输入前要先置1（KEIL包含的头文件已经有动作了，如果用汇编，要人工置1），输出为漏极开路，输出一般都要上拉电阻。输入为高阻态，能驱动8个TTL负载。

2、意思不同 P0口作输出口用时，需加上拉电阻。P0口有复用功能。当对外部存储器进行读写操作时，P0口先是提供外部存储器的低8位地址，供外部存储器地址锁存器锁存，然后充当数据线，用于写出或读入数据。

3、能驱动(吸收或输出电流)四个LSTTL负载。③ P2口（P0 - P7）是一个带有内部提升电阻的8位准双向I/O口，在访问外部存储器时，它输出高8位地址。P2口可以驱动(吸收或输出电流)四个LSTTL负载。

4、P0端口能驱动8个LSTTL负载。如需增加负载能力，可在P0总线上增加总线驱动器。P1，P2，P3端口各能驱动4个LSTTL负载。

5、单片机输出低电平驱动能力很强，至少可达20mA~50mA。高电平驱动能力很弱，电流在5mA以下。带动4~8个TTL负载是指一个输出类的IO口可与4~8个TTL的输入引脚相连。主要是受高电平驱动能力限制。

6、大多数是IO口，用来输入输出，可接各种外部设备，其中有些端口有第二功能，可通过内部的寄存器切换。只有少数几个脚是固定用途的，如电源脚，外接晶振脚，复位脚，这些脚的外围电路是固定的，且不可接外部设备。

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