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817光耦详细参数
1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
2、它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
3、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。
光耦隔离的重要参数
入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。1入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
电流传输比是光耦合器的一个重要参数，通常用DC电流传输比来表示。当输出电压保持不变时，它等于DC输出电流IC和DC输入电流IF的百分比。光电耦合器主要用于在输入电路和输出电路之间提供隔离。
还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。
光耦合器的参数一般有一下几个：插入损耗、附加损耗、串音、隔离度和分光比。一般提到回波损耗的是指光隔离器或者光环形器。
这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
17.我学习光电耦合器,请问什么是CTR
1、是的，CTR就是传输比，因为光耦内部有光通道的空腔，制造工艺不可能做到很精确，所以有个范围。你说的300%CTR600%，主要意思是指光耦CTR在这个范围内，都是合格的。
2、你是想问光电耦合器ctr劣化怎么回事吗？光电耦合器ctr劣化因为ctr有固有退化现象。劣化就是退化，光电耦合器使用中ctr随温度上升会下降的情况，长期工作ctr有固有退化现象。光电耦合器使用中整机设计时要留有充分的余量。
3、光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。
4、通俗点来理解：当前端电流固定时，传送给后端电流的能力是有限的，这个能力的学术名称就是CTR（电流传输比），CTR大就表示传输能力强，能驱动得起后端。
5、光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
光耦传输速率是怎么计算的
1、数据传输速率的计算公式如下：R=(1/T)*logzN(bps)。其中R为传输速率，单位为bps，T为发送每个bit所要的时间，单位是秒，N是传输的码数。如果网络结点传输5MB数据需要0.04s，则该网络的数据传输速率是1Gbps。
2、光耦的数据速率BD是光度单位。光耦亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
3、就分立元件而言，是三极管的速度快，一般的产品目录上三极管都标注其带宽，而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间，这就是它的开关速度参数。
到此，以上就是小编对于光耦传输比计算的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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